Samsung Foundry və TSMC dünyanın iki ən yaxşı müstəqil çip tökmə zavodudur. Onlar Apple, Qualcomm, Mediatek, Nvidia kimi istehsalçılar tərəfindən yaradılmış çip dizaynlarını götürür və onları telefonlarda, avtomobillərdə və digər cihazlarda istifadə olunan ən müasir çipsetlərə çevirir. Gələn il hər iki tökmə zavodu ən son 3nm proses qovşaqları ilə istehsal edilən çipləri göndərəcək. Tipik olaraq, proses node nömrəsi nə qədər kiçik olarsa, tranzistorların sayı bir o qədər yüksək olar. Bu da vacibdir. Çünki tranzistorların sayı nə qədər çox olarsa, çip daha güclü və enerjiyə qənaətli olur. Növbəti proses qovşağına keçməkdən əlavə, Samsung Gate all-around (GAA) kimi tanınan ən son tranzistor dizaynından istifadə edəcək, TSMC isə gələn il hələ də bəzi istehlakçı cihazlarına daxil ediləcək 3nm çipləri üçün köhnə FinFET dizaynından istifadə edəcək ( iPhone 14 Pro modelləri kimi) .

GAA ilə 3nm proses qovşağından istifadə Samsung-a çip ölçüsündə 35%, enerji istifadəsində 50%-ə qədər azalma, performansda 30%-ə qədər artımı təmin etməli idi. Samsung şirkəti kampusu ziyarətə gələn ABŞ Prezidenti Co Baydenə yeni proses node-nu göstərib. Yonhap News-a görə (Wccftech vasitəsilə) bu, dünyanın ən böyük yarımkeçirici qurğusudur.

Obyektə baxış zamanı prezidenti Samsung Electronics-in sədr müavini Li Çje Yon müşayiət edib. Şirkətin texnoloqu bildirir ki: "Bəlkə də Samsung Baydenə 3 nanometrlik çipi göstərib", eyni zamanda,Samsung-un 4 nm istehsalında məhsuldarlıqla bağlı problem var idi və bildirildiyinə görə cəmi 35% 4nm TSMC-nin məhsuldarlıq göstəricisindən keçə bilər. Nəticədə Samsung bəzi biznes sahələrini TSMC-yə uduzdu. Sonuncu Qualcomm-un Snapdragon 8+ Gen 1 çipsetini qurur və Qualcomm Snapdragon 8 Gen 2 Tətbiq Prosessorunu (AP) istehsal edəcəyi gözlənilir. Lakin əvvəlki hesabatlar Samsung-un məhsuldarlığının yaxşılaşdığını iddia etsə də, Samsung-un 3nm GAA istehsalının 4nm-in məhsuldarlığından daha pis olduğunu göstərdi.