ИИ стремительно развивается, дефицит памяти достиг рекордного уровня

Резкий рост спроса на чипы для искусственного интеллекта (ИИ) вызвал новый кризис в полупроводниковой отрасли — на этот раз ключевой проблемой стал дефицит микросхем памяти (DRAM/NAND). Поскольку ИИ-ориентированные дата-центры требуют значительно больше ресурсов, производители потребительской электроники, включая смартфоны и персональные компьютеры, постепенно отходят на второй план в цепочке поставок. В результате усиливается ценовое давление и пересматриваются производственные планы.

По данным источника, высокоскоростная память HBM (High Bandwidth Memory), активно используемая в ИИ-ускорителях, уже занимает около 70% производственных мощностей в сегменте высокопроизводительной памяти. Это приводит к тому, что традиционные рынки испытывают всё большее давление, а дефицит становится глубже. Исполнительный вице-президент Micron по операционной деятельности Маниш Бхатия охарактеризовал ситуацию как «беспрецедентный дефицит».

Нехватка памяти уже влияет на прогнозы на 2026 год для крупных производителей. Помимо таких компаний, как Dell, ключевые бренды смартфонов — Xiaomi, Oppo и Transsion — переходят к более осторожному планированию. Сообщается, что Oppo на фоне роста затрат сократила объёмы производства до 20%.

Аналитическая компания Counterpoint Research отмечает, что в 2025 году мировые поставки смартфонов выросли на 2% в годовом выражении, однако ожидания на 2026 год стали более сдержанными. По словам директора по исследованиям Counterpoint Таруна Патхака, дефицит DRAM/NAND и рост стоимости компонентов вынудили пересмотреть прогноз, снизив ожидаемую динамику поставок на 2026 год на 3%. Также подчёркивается, что Apple и Samsung могут сохранить относительную устойчивость благодаря более сильным возможностям по обеспечению поставок, тогда как китайские бренды, ориентированные на бюджетный сегмент, столкнутся с более серьёзным давлением.

На фоне кризиса производители памяти предпринимают шаги для расширения мощностей. Micron провела церемонию начала строительства крупного производственного проекта в штате Нью-Йорк недалеко от Сиракьюса, а также продвигает планы в Тайване, направленные на запуск DRAM-производства в 2027 году. Компания также продолжает подчёркивать масштабные инвестиционные планы в производство и исследования в США.

Аналитики ожидают дальнейшего роста цен в сегменте HBM в 2026 году. По прогнозу UBS, средняя цена HBM за бит вырастет на 18,5% в 2026 году, а выручка рынка HBM может достичь 32,7 млрд долларов. Существенная часть этой суммы, как ожидается, будет напрямую отражаться в операционной прибыли SK Hynix.

Эксперты отмечают, что если дефицит сохранится, себестоимость смартфонов и компьютеров продолжит расти, что может привести либо к повышению цен для конечных покупателей, либо к оптимизации технических характеристик устройств в отдельных сегментах.